Technology主要负责设计和开发，欧姆龙负责生产。首批量产的是两种产品。分别是耐压为650V、最大漏电流为20A、导通电阻为170mΩ的产品和耐压为600V、最大漏电流为20A、导通电阻为160mΩ的产品。作为耐压600V级的产品，导通电阻较低。

　　此次的超结构造中n型层和p型层交错排列。为实现这种构造，采用了欧姆龙的MEMS工艺技术。首先使n型层外延生长，然后利用MEMS工艺技术的蚀刻工艺凿刻沟槽。接着在沟槽的侧面注入和扩散离子，制造p型层。然后在沟槽内嵌入绝缘子，制造电极等，完成整个制造流程。该电极的制造工艺采用了CMOS工艺（图2）。目前MOSFET的单元间距约为12μ～15μm。沟槽宽3μm，深约40μ～45μm。

　　生产基地为欧姆龙的野州事务所。已经开始使用200mm晶元制造IceMos Technology设计的MOSFET（图3）。双方计划今后进一步扩充产品阵容。例如，预定2011年第3季度开始量产耐压600V、最大漏电流为15A和10A的两种产品。